内存融合有必要开吗
内存融合技术可以将存储空间调度给运行内存进行使用，大幅提升后台多应用场景下的体验，可实现更多应用同时加载，进一步提升应用打开速度与响应速度；内存融合2.0技术相比1.0能将更多的存储空间调度给运行内存使用，带来更加流畅的使用体验。
注：“运行内存+ 512M/1G/3G/4G"，前面的数字代表手机本身的运行内存大小，后面的数字代表扩展的内存大小。不同的机型，由于运行内存和存储空间配置不同，因此显示的数值也会不同，其原理都是一样的。
开启方法：进入手机设置--运存与存储空间--运行内存，即可开启内存融合，没有此选项则代表机型不支持。
请问英特尔内存XMP技术有什么用？
众所周知，内存条可以工作在其默认频率之上。内存的预设频率并不高，这样是为了其产品稳定。游戏玩家可以将其频率提升，从而提升性能。
由于玩家需求，内存厂商为此生产了各种游戏内存。游戏内存拥有很强的超频能力，频率可远高于其默认频率。游戏内存除了在起SPD中写入了默认频率的设定外，还写入了一个超频设定到SPD中，所以只要启用SPD中的这个超频设定，内存就可以被自动超频到预设的频率。
为了统一行业内的超频数值标准，而不让各个内存厂商随意设定更高的内存频率数值写入到SPD，英特尔提出了XMP认证标准。通过XMP认证的内存会在内存地址176
~
254中记录内存的速度设定，最多可以保存2组设定值。厂商们如需要得到XMP的认证，就必须把内存及该设定送交Intel测试，通过后就会给予认证。
通过XMP认证后，其SPD中除了预设普通频率数值的SPD值外，还写入了更高频率设定的SPD。这个更高频率的设定配合支持XMP的主板后可以被启用，从而将内存超频提升性能。
简单的说，通过了英特尔XMP认证的内存，SPD中有两个或更多频率设定档案，只要在主板中启用这些预设的XMP档案，即可将内存条自动超频到1600或更高值（根据档案设定而定）。
XMP与手动超频效果基本无异，所以可将其看作为内存的自动超频技术。
XMP信息也可自行手动修改SPD得来。
内存融合技术利弊
内存融合技术是将内存与闪存进行融合。当数据过于庞大时会影响处理速度，无其他不良影响。Android系统是吃内存的大户，内存的大小直接影响系统的性能，用户最直接的体验就是流畅度。内存越大，同时能打开的APP也就越多，不同APP切换会更快。内存融合技术正是调用一部分闪存当作运行内存来使用，让手机能够同时开启更多的应用。
早在Android 2.2时代，就有了zram与swap两大内存优化技术。ZRAM原理是将物理内存中划分出一片区域，将应用的不活跃代码部分进行压缩，需要的时候将数据解压出来，核心是内存压缩。缺点是会少量增加CPU负担，需要CPU额外计算和甄别不活跃代码。SWAP类似Windows的虚拟内存技术，就是当内存不足的时就将ROM作为RAM使用。可以让系统同时运行更多的程序，缺点是读写速度低于内存，并且这种反复擦写闪存的操作一定程度会降低闪存寿命。
【摘要】
内存融合技术利弊【提问】
内存融合技术是将内存与闪存进行融合。当数据过于庞大时会影响处理速度，无其他不良影响。Android系统是吃内存的大户，内存的大小直接影响系统的性能，用户最直接的体验就是流畅度。内存越大，同时能打开的APP也就越多，不同APP切换会更快。内存融合技术正是调用一部分闪存当作运行内存来使用，让手机能够同时开启更多的应用。
早在Android 2.2时代，就有了zram与swap两大内存优化技术。ZRAM原理是将物理内存中划分出一片区域，将应用的不活跃代码部分进行压缩，需要的时候将数据解压出来，核心是内存压缩。缺点是会少量增加CPU负担，需要CPU额外计算和甄别不活跃代码。SWAP类似Windows的虚拟内存技术，就是当内存不足的时就将ROM作为RAM使用。可以让系统同时运行更多的程序，缺点是读写速度低于内存，并且这种反复擦写闪存的操作一定程度会降低闪存寿命。
【回答】
希望我的回答能够帮助到您，祝您好运！【回答】
8G要不要开内存融合【提问】
可以不用【回答】
融合了会降低寿命哦【回答】
单通道内存与双通道内存之间的区别是什么？
1、性能区别：双通道内存的数据传输比单通道效率更高，尤其对于不配备独立显卡，采用核显的电脑，在使用双通道时对显示性能支持更好。2、装机成本区别：相同容量的内存，双条会比单条贵，因此在组双通道时也可考虑自己的电脑实际配置情况来决定（一般对使用核显的电脑建议使用双通道）。3、配置要求不同：单通道仅需要一根内存条，双通道则需要两条内存及两个主板内存插槽的支持。
内存《双通道》是什么原理？
分类: 电脑/网络 >> 硬件
问题描述:
主板上面有两个内存插口就是支持双通道么？
解析:
内存要组成双通道，需要内存控制器的支持。
AMD的处理器内部集成内存控制器，所以AMD的配置是否支持双通道，要看你的CPU是不是支持。
intel的配置内存控制器集成主板北桥中，所以是不是支持双通道要看主板是否支持。
一般如果支持的话，如果有四个插槽，内存插槽会有两种不同的颜色。
同容量、同型号的内存插在同颜色的插槽里将能组成双通道。
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双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。
双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。
NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。
普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。
支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。
AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。
内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。
SDR和DDR有什么不同?
分类: 电脑/网络
解析:
SDR和DDR有什么区别
传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。
一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。
DDR
DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。
标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。
同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。
DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。
SDR
DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。
什么 SD和DDR
分类: 电子数码
问题描述:
我在内存里看到的，那是什么来的？
解析:
现在使用的内存一般都是DDR内存了，以前老的系统一般是SD的，象P3级别的内存。这两种内存的插槽和引脚不同，不能够混用的。
下面是我找到的文章：
什么是DDR内存
作者：网络 文章来源：转载 点击数：432 更新时间：2005-4-10
DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿，因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望，希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽，就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出，DDR真的是大势所趋。
近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品，国际上少数内存生产商之一的金士顿公司（Kingston）其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设，现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。
那么究竟什么是DDR内存呢？其技术优势又在何处呢？请让我们先了解一下这样新的事物。
DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能，包括台式机、工作站、服务器、便携式，也包括新的通信产品，如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。
DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。
DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片，程序及测试设备生产，从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR模块。
主要的技术及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进，在2001年将被大量采用。
DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准，积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员，并且是JEDEC的理事会成员。
什么是DDR内存及与SDRAM内存的区别
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DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又简称DDR，翻译成中文就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以说是目前广泛应用的 SDRAM的升级换代版本，在它的催生下，2000年下半年的内存止跌不稳已经彻底摧毁了SDRAM多年营造起来的价格市场。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍，由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。另一个明显的改变是增加了一个双向的数据控制接脚（Data Strobe，DQS）。当系统中某个控制器发出一个写入命令时，一个DQS信号便会由内存控制器送出至内存。
此外，传统SDRAM的DQS接脚则用来在写入数据时（单向：内存控制器DRAM）做数据遮罩（Data Mask）用。由于数据、数据控制信号（DQS）与DM同步传输，不会有某个数据传输较快，而另外的数据传输较慢的skew（时间差）以及Flight Time（控制信号从内存控制器出发，到数据传回内存控制器的时间）不相同的问题。此外，DDR的设计可让内存控制器每一组DQ／DQS／DM与DIMM上的颗粒相接时，维持相同的负载，减少对主板的影响。在内存内部架构上，传统SDRAM属于×8组态（anization），表示内存核心中的I／O寄存器有8位数据I／O，不过对于×8组态的DDR SDRAM而言，内存核心中的I／O寄存器却是16位的，一次可传输16位数据，在时钟信号上升缘时输出8位数据，在下降缘再输出8位数据。此外，为了保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此，DDR改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。
DDR 内存从型号上看分为两种，一种叫做 PC 1600，每秒钟可传输 1.6GB 的数据，正好是目前100兆赫 SDRAM 内存的两倍；另一种叫做 PC 2600，峰值数据传输率可达每秒2.6GB。与价格昂贵的Rambus 相比，DDR有如下几个优势：一是由于它是在 SDRAM 内存技术的基础上开发的，因此不仅与目前的个人电脑体系架构有着很好的兼容性，而且开发生产成本低廉。二是DDR较少存在许可协议的问题。内存厂商要生产 Rambus 内存条，必须向 Rambus 公司缴纳一笔不菲的费用，以获得生产许可证，这无疑影响到厂家的利润。而DDR内存的规格是免费提供的。三是各大厂商的支持。2001年，包括IBM等在内的诸多IT巨头都宣布将支持 DDR 内存，特别是IBM 还专门设计了两组芯片组，既支持 DDR 内存，也能大幅提高系统总线的速度。而AMD 公司即将全面上市的760芯片组（支持单处理器电脑）和770芯片组（支持双处理器电脑）将全面支持200兆赫和266兆赫系统总线，也是为了满足 DDR 内存技术标准而设计的。
可能解释的不全面，你到网上去找能找到很多这方面的。现在主流的DDR，一般是DDR333、DDR400以及DDRII533。SD基本上属于被淘汰的产品，速度DDR比SD快了很多，而且价格也不错。现在的主板一般都只支持DDR了
手机内存融合弊端
开启内存融合功能不会对手机处理器造成影响，没什么弊端。全新增强内存管理将RAM和ROM通过算法优化融合起来，大幅提升后台多应用场景下的体验，实现"手机RAM+ 3G"的体验效果，可实现更多应用同时加载，进一步提升应用打开速度与响应速度，配合流畅、质感动画效果，带来更加流畅的使用体验。内存融合技术优势Android系统是吃内存的大户，内存的大小直接影响系统的性能，用户最直接的体验就是流畅度。内存越大，同时能打开的APP也就越多，不同APP切换会更快。内存融合技术正是调用一部分闪存当作运行内存来使用，让手机能够同时开启更多的应用。由于制造工艺的不同，内存使用的DRAM芯片每GB单价要比NAND Flash闪存贵很多，所以中高端机型通常是8GB、12GB，中低端机型更多是以4G、6GB为主。通过内存融合技术，可以较大幅度增加内存空间，中低端用户的体验可能会更加明显，中高端用户也有不同程度的提升。具体的提升程度，依赖于各个手机厂的系统内存扩展能力，看软件的调试能力。
内存融合技术伤手机吗？
内存融合技术是SWAP，会对手机存储寿命造成影响。在内存不足时，将硬盘的空间拿一部分出来，临时存储溢出的部分数据，保证前台应用的工作。但开启后，前台运行直观降速，内存写入延迟大幅提升，后台保活能力小幅提升，也算不上什么好体验。总体来说是弊大于利的。对于现有的旗舰机型来说，牺牲运行速度换后台多开俩app，真的是很愚蠢的做法。技术优势：Android系统是吃内存的大户，内存的大小直接影响系统的性能，用户最直接的体验就是流畅度。内存越大，同时能打开的APP也就越多，不同APP切换会更快。内存融合技术正是调用一部分闪存当作运行内存来使用，让手机能够同时开启更多的应用。由于制造工艺的不同，内存使用的DRAM芯片每GB单价要比NAND Flash闪存贵很多，所以中高端机型通常是8GB、12GB，中低端机型更多是以4G、6GB为主。通过内存融合技术，可以较大幅度增加内存空间，中低端用户的体验可能会更加明显，中高端用户也有不同程度的提升。具体的提升程度，依赖于各个手机厂的系统内存扩展能力，看软件的调试能力。
电脑中的DDR是什么意思
中国星坤的连接器DDR（Double Data Rate）是一种计算机内存标准，它代表了内存模块的运行速度以及数据传输的速度。星坤连接器的DDR内存能够在每个时钟周期传输两次数据，相较于早期的SDR（Single Data Rate）内存来说，DDR内存的传输速度更高效。在现代计算机中，我们经常听到DDR3、DDR4等术语，它们代表了各个时期的DDR内存标准。这些不断升级的内存标准能够提供更高的数据传输速度和更好的性能，从而增强计算机的运行效率。
DDR和DDR2，DDR3，区别在那里
DDR：DDR采用一个周期来回传递一次数据，因此传输在同时间加倍，因此就像工作在两倍的工作频率一样。为了直观，以等效的方式命名，因此命名为DDR 200 266 333 400。DDR2：DDR2尽管工作频率没有变化，数据传输位宽由DDR的2bit变为4bit，那么同时间传递数据是DDR的两倍，因此也用等效频率命名，分别为DDR2 400 533 667 800。DDR3：DDR3内存也没有增加工作频率，继续提升数据传输位宽变为8bit，为DDR2两倍，因此也在同样工作频率下达到更高带宽，因此用等效方式命名DDR3 800 1066 1333 1600。所以可以看到，如DDR 400 DDR2 800 DDR3 1600内存工作频率没有区别，只是由于传输数据位宽倍增，导致带宽的增加。而内存的真正工作频率决定于延迟，DDR400与DDR2 800真实工作频率相同，后者带宽是前者一倍，延迟上一样。如果是DDR400与DDR2 667，那后者虽然带宽更大，不过其真实频率反而低一些，延迟上略大。DDR2与DDR的区别： 1、速率与预取量 DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。 2、封装与电压 DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。3、bit pre-fetch DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。4、新技术的引进 DDR2引入了OCD、ODT和POST（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性 OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。DDR3与DDR2的区别：1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V； 2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格； 3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个； 4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的；DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式； 5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）； 6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能。新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级； 9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
什么叫DDR内存?
中国星坤的DDR内存是指“双倍数据速率内存”（Double Data Rate Memory）的简称。它是一种计算机内存技术，常用于个人电脑、服务器等设备中。与传统的SDR内存相比，DDR内存在同样的工作频率下能够实现双倍的数据传输速率，提高了内存的数据读写效率。
DDR内存的工作原理是通过在每个时钟周期中传送两次数据，即上升沿和下降沿都进行数据传输，这就使得DDR内存每秒钟能传输两倍于其工作频率的数据。例如，DDR4-3200内存在工作频率为1600 MHz的情况下，每秒能传输3200 MB/s的数据。
DDR内存的类型有多个，并且会随着技术的发展而不断更新，目前主要有DDR2、DDR3、DDR4和DDR5等几种主流类型。不同类型的DDR内存在工作频率、传输带宽、时序等方面会有所差异，因此在选择DDR内存时需要根据使用环境和需求进行合理搭配。
总的来说，DDR内存通过提高数据传输效率，使得系统在处理大量数据时能够更快地读写内存，从而提高计算机的整体性能和响应速度。这也是为什么DDR内存成为了现代计算机中不可或缺的一部分。
笔记本内存条DDR2和DDR3有什么区别，求高人指点。
一、工艺不同1、DDR2：DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。2、DDR3：采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。二、性能不同1、DDR2：到CPU的前端总线（FSB）接口，到GPU的图形总线接口，外设I/O总线和主存储器总线。为使系统性能最优化，FSB、图形总线和主存储器总线应该各自工作在大致相当的带宽上。2、DDR3：由于能耗降低，DDR3可实现更高的工作频率，在一定程度弥补了延迟时间较长的缺点，同时还可作为显卡的卖点之一，这在搭配DDR3显存的显卡上已有所表现。三、封装不同1、DDR2：标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于广泛应用的TSOP/TSOP-Ⅱ封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性。2、DDR3：在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装。必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。参考资料来源：百度百科-DDR3参考资料来源：百度百科-DDR2
内存条DDR2和DDR3的区别是什么？
DDR2和3，物理接口上就不一样，不能混插。二者是两代产品，主要是性能上的区别，DDR3带宽更高，速度更快。 1、DDR，目前分为4代，DDR4还没有普及，市场上大量的是前三代的产品。目前主流是DDR3。 2、DDR不同代的产品，物理接口就不一样，下面是三代产品物理接口上的区别。 3、DDR升级换代的主要目的就是越来越快，带宽越来越大。DDR2代，最大达到1066，而DDR3代则从1066起步，目前已经可以达到2800。
